侵權(quán)投訴

GaN

氮化鎵(GaN)是一種具有較大禁帶寬度的半導(dǎo)體,屬于寬禁帶半導(dǎo)體之列。氮化鎵是微波功率晶體管的優(yōu)良材料,是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,具有寬的直接帶隙、強(qiáng)的原子鍵、高的熱導(dǎo)率、化學(xué)穩(wěn)定性好(幾乎不被任何酸腐蝕)等性質(zhì)和強(qiáng)的抗輻照能力。


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