加上在重慶投資的關(guān)鍵一役，從南京、武漢、成都到重慶，紫光集團在國內(nèi)布局了制造和研發(fā)“芯云”的四大生產(chǎn)基地。隨著紫光DRAM落地重慶，今年最后一季的存儲市場將發(fā)生怎樣的變化？

國內(nèi)布局終站：紫光DRAM落地重慶的前后

近日在第二屆中國智博會期間，重慶市人民政府與紫光集團簽署了紫光存儲芯片產(chǎn)業(yè)基地項目合作協(xié)議，紫光儲存芯片產(chǎn)業(yè)基地將落戶兩江新區(qū)。

紫光集團將在重慶兩江新區(qū)發(fā)起設立紫光國芯集成電路股份有限公司和重慶紫光集成電路產(chǎn)業(yè)基金，建設包括DRAM（動態(tài)隨機存儲器）總部研發(fā)中心在內(nèi)的紫光DRAM事業(yè)群總部、DRAM存儲芯片制造工廠、紫光科技園等。

其中，DRAM存儲芯片制造工廠計劃年底開工建設，預計2021年建成投產(chǎn)。

此次合作是去年紫光集團在重慶簽署《戰(zhàn)略合作入駐框架協(xié)議》以來，投資7大項目中的“芯”項目。

按照協(xié)議約定，紫光集團擬在重慶投資建設紫光芯云產(chǎn)業(yè)城，預計總投資超過600億元。

加上在重慶投資的關(guān)鍵一役，從南京、武漢、成都到重慶，紫光集團在國內(nèi)布局了制造和研發(fā)“芯云”的四大生產(chǎn)基地。

在集成電路行業(yè)的高端芯片領域，紫光集團正在實現(xiàn)從制造研發(fā)NANDFlash存儲到發(fā)展DRAM存儲。

重慶＋紫光的互相借力：從NANDFlash到DRAM

重慶在集成電路領域已基本構(gòu)建了從芯片設計到制造、封閉測試及原材料配套等全產(chǎn)業(yè)鏈條。

目前，重慶市共有集成電路設計企業(yè)12家，其中4家在兩江新區(qū)。除IC設計企業(yè)外，兩江新區(qū)擁有集成電路類制造企業(yè)3家，包括萬國半導體、超硅、奧特斯等行業(yè)巨頭。

5G時代來臨之際，重慶市正借智博會之機大力招商引資，吸引眾多集成電路企業(yè)做大電子信息產(chǎn)業(yè)，從而實現(xiàn)從傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)到智能產(chǎn)業(yè)的升級和轉(zhuǎn)型。

重慶方面將其作為重要的高科技龍頭企業(yè)進行扶持，打造世界級存儲芯片領域核心產(chǎn)業(yè)集團。

注冊資本規(guī)模將達到千億元，重點投資紫光集團旗下的集成電路制造基地建設，未來10年在集成電路產(chǎn)業(yè)投入有望達到1000億美元。

即將成立的紫光重慶DRAM存儲芯片工廠則依靠紫光集團在存儲器領域積累的從設計、生產(chǎn)、測試、方案構(gòu)建到全球量產(chǎn)銷售等研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，主要生產(chǎn)12英寸DRAM存儲芯片。

從DRAM存儲芯片制造工廠，到DRAM事業(yè)群總部，再到紫光云（南方）總部，紫光在重慶的重大布局，都在兩江新區(qū)。這與兩江新區(qū)乃至全市作為全球重要的電子信息產(chǎn)業(yè)基地良好的產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈有關(guān)。

此次紫光集團多個項目布局兩江新區(qū)，將進一步推進兩江新區(qū)乃至重慶構(gòu)建產(chǎn)業(yè)生態(tài)圈，立足“芯屏器核網(wǎng)”和智能產(chǎn)業(yè)，打通上下游產(chǎn)業(yè)鏈，培育更具競爭力的產(chǎn)業(yè)集群。

穩(wěn)住你們能贏：全球企業(yè)逐利DRAM和NAND

如果還是沒能帶動市場需求好轉(zhuǎn)，產(chǎn)業(yè)鏈恐提前進入寒冬，再加上原廠963DNAND資源釋放，尤其到今年第四季度傳統(tǒng)的銷售淡季，下游產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)恐更加艱難。

DRAM行業(yè)經(jīng)過幾十年的戰(zhàn)爭，目前留下三大巨頭，其中三星占據(jù)近半壁江山，2018年其市場份額為43．9％。

同樣來自韓國的SK海力士占29．5％，美國企業(yè)美光為22．1％。三大巨頭合計占據(jù)95％的市場份額，其余多家來自中國臺灣等的廠商占比都非常低，中國大陸企業(yè)榜上無名。

中美貿(mào)易爭端以來，發(fā)展一條自主可控的半導體產(chǎn)業(yè)鏈逐漸成為中國科技產(chǎn)業(yè)的共識，紫光、合肥長鑫與福建晉華在長期國產(chǎn)空白的存儲領域的進擊也有了特別的意義。

從2016年開始，合肥長鑫、福建晉華和紫光針對DRAM的計劃，投資金額高達幾百億美元，中國開始向DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)起進攻。

在顯示屏等產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)一定程度的突破后，紫光、合肥長鑫與福建晉華在長期國產(chǎn)空白的DRAM領域的進擊也有了特別的意義。

從建造一座半導體工廠、進駐設備再到投產(chǎn)并且獲得客戶的認可，最樂觀的也需要兩年的時間。

現(xiàn)在中國大陸發(fā)展DRAM最主要的難度是，經(jīng)過多年的競爭淘汰后，三家巨頭掌握的技術(shù)專利已經(jīng)非常齊全，跟DRAM相關(guān)的技術(shù)都掌握在它們手上，新進者要去做就必須要在技術(shù)專利或者支撐技術(shù)上要有所突破，要么跟它們合作，要么自己去開發(fā)，但其實都非常困難。 不過在DRAM制造上，中國大陸企業(yè)與一線大廠的差距在制程技術(shù)，但是目前制程技術(shù)的發(fā)展也遇到了瓶頸，中國大陸廠商依然具備趕上的機會。但對于能否在現(xiàn)有全球半導體供應鏈體系之外形成新的體系，成立新體系的難度極高。

2019上半年NANDFlash產(chǎn)業(yè)遭遇冷風和困境，如今美光宣布新加坡Fab10A新廠將在2019下半年投入生產(chǎn)3DNAND，給NANDFlash產(chǎn)業(yè)原本就供過于求的市況又一打擊，也讓市場業(yè)內(nèi)人擔憂后續(xù)供應將更加過剩。

美光在新加坡已有Fab10N、Fab10X兩座3DNAND工廠，新Fab10A工廠是從2018年開始新建，主要用于生產(chǎn)3DNAND。

為了進一步改善市場供需，美光決定將NANDFlash晶圓產(chǎn)出減少比例從原來的5％提高到了10％，還將削減2020年資本支出。

韓國內(nèi)存芯片生產(chǎn)商海力士半導體今年第二財季凈利潤大幅下滑，原因是內(nèi)存芯片價格大跌和市場需求疲軟。

三星曾多次發(fā)起“反周期定律”價格戰(zhàn)，使得DRAM領域多數(shù)廠商走向破產(chǎn)，并逐漸形成DRAM領域只有幾家壟斷市場的現(xiàn)狀，而三星卻可以透過其他事業(yè)部門注入資金，走過低迷期。

長江存儲宣布在今年8月正式推出Xtacking？2．0技術(shù)，旨在將為3DNAND帶來更出色的I／O高性能，更高的存儲密度，以及更短的產(chǎn)品上市周期。

Xtacking2．0技術(shù)是在Xtacking1．0技術(shù)上的突破，意味著在自主研發(fā)的路上取得了進一步的成績，也進一步凸顯了其技術(shù)優(yōu)勢。

但產(chǎn)能問題、閃存市場大環(huán)境以及工藝落后等多方面的挑戰(zhàn)仍在眼前，長江存儲依舊任重道遠。

通過與奇夢達的合作，合肥長鑫獲得了一千多萬份有關(guān)DRAM的技術(shù)文件及2．8TB數(shù)據(jù)，這成為長鑫的技術(shù)來源之一。

今年6月份，合肥長鑫宣布12英寸存儲晶圓制造基地項目的一期研發(fā)階段所有單體已經(jīng)完成，研發(fā)線晶圓片電性能測試良好，成品芯片功能通過，正在進行良率提升和量產(chǎn)準備工作。該項目今年的目標是部分生產(chǎn)線投入使用。

根據(jù)計劃，合肥長鑫將在2019年三季度推出8GbLPDDR4，到2019年底，產(chǎn)能達到2萬片／月。預計在2020年建設第二座晶圓廠，2021年完成17nm研發(fā)。

合肥長鑫項目通過與國際大廠合作，持續(xù)投入研發(fā)超過25億美元，不斷完善自身研發(fā)技術(shù)，目前已累積有1萬6千個專利申請，已持續(xù)投入晶圓量超過15000片。整個項目預計總投資超過72億美元，工程將分3期完成，預計月產(chǎn)能將達12．5萬片。

福建晉華原預估2018年9月正式投產(chǎn)，到2019年底一廠一期項目可實現(xiàn)月產(chǎn)6萬片12英寸晶圓的產(chǎn)能，到2020年底一廠二期也將達產(chǎn)6萬片。并適時啟動二廠的建設，到二廠達產(chǎn)時，總產(chǎn)能將達24萬片。

結(jié)尾

雖然2019上半年產(chǎn)業(yè)供需面臨過剩的挑戰(zhàn)，但終端需求會逐漸成長，下半市況表現(xiàn)將會趨于正常，并對未來產(chǎn)業(yè)前景樂觀看待，尤其是5G、云端數(shù)據(jù)中心，以及自動駕駛等會大量增加對DRAM與NANDFlash的需求，紫光會持續(xù)增加投資。