國產(chǎn)存儲芯片達到國際領(lǐng)先水平,中國制造將再上層樓!
據(jù)媒體報道指國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)長江存儲已開發(fā)出128層的NAND flash存儲芯片,這是當前國際存儲芯片企業(yè)正在投產(chǎn)的NAND flash技術(shù),意味著中國的存儲芯片技術(shù)已達到國際領(lǐng)先水平。
中國是全球最大的制造國,制造了全球超過七成的手機,其他PC、平板電腦等電子產(chǎn)品也有很大比例在中國生產(chǎn),因此中國對芯片的需求極大,據(jù)悉中國采購的芯片占全球芯片市場的份額超過五成,采購的芯片金額甚至超過石油。
存儲芯片正中國進口的主要芯片之一,估計中國采購的存儲芯片占全球存儲芯片的比例超過五分之一。然而在2019年以前,中國幾乎沒有生產(chǎn)存儲芯片,全球的存儲芯片主要由韓國、日本、美國生產(chǎn),中國對全球存儲芯片的依賴性非常高。
為改變這一局面,中國努力推進存儲芯片的研發(fā)和生產(chǎn),2018年長江存儲生產(chǎn)出第一代NAND flash存儲芯片,2019年合肥長鑫生產(chǎn)出DDR內(nèi)存芯片,中國終于在存儲芯片行業(yè)邁出了第一步。
長江存儲雖然在2018年開始投產(chǎn)NAND flash存儲芯片,然而其時它生產(chǎn)的NAND flash存儲芯片僅是32層,而當時全球主流的NAND flash存儲芯片技術(shù)為64層,長江存儲也認識到自己在技術(shù)上的落后,因此32層NAND flash存儲芯片并沒有大規(guī)模生產(chǎn),而僅為錘煉生產(chǎn)技術(shù),并提升研發(fā)人員的技術(shù)水平。
2019年長江存儲研發(fā)出64層NAND flash存儲芯片,追上了全球NAND flash存儲芯片的主流技術(shù)水平,它開始大規(guī)模投產(chǎn)NAND flash存儲芯片。此時中國才真正實現(xiàn)了部分NAND flash存儲芯片的自給,不過其時由于長江存儲才開始規(guī)模化生產(chǎn),國內(nèi)市場的NAND flash存儲芯片還是主要由國外供應(yīng)。
目前長江存儲研發(fā)出128層NAND flash,預(yù)計該項技術(shù)的NAND flash存儲芯片將很快投入量產(chǎn),而目前海外存儲芯片也正在推進128層NAND flash存儲芯片的量產(chǎn),這意味著中國的NAND flash存儲芯片在技術(shù)上已接近國際領(lǐng)先水平。
推動長江存儲快速提升NAND flash存儲芯片技術(shù)離不開國內(nèi)企業(yè)的支持,其中就包括華為。2019年華為被美國列入實體清單,美國存儲芯片企業(yè)美光與華為的合作受阻,華為迅速與長江存儲合作研發(fā)NAND flash存儲芯片,早在數(shù)年前華為就已研發(fā)SSD控制芯片,在存儲芯片技術(shù)上有一定積累,而且它是全球第二大手機企業(yè)、前五大服務(wù)器廠商,對NAND flash存儲芯片有很大的需求,華為的支持也加快了長江存儲研發(fā)更先進的NAND flash存儲芯片技術(shù)的腳步。
中國自改革開放以來主要是依靠來料加工的方式發(fā)展經(jīng)濟,直到2007年之前加工貿(mào)易占中國貿(mào)易的比例還超過五成,自那之后加工貿(mào)易占中國貿(mào)易的比例逐漸下降至近年的三成左右,機電、通信等高技術(shù)產(chǎn)品占中國出口的比例逐漸提升,凸顯出中國制造正逐漸往高端制造業(yè)爬升。
中國在NAND flash存儲芯片技術(shù)上僅僅數(shù)年時間就接近國際先進水平,對于中國制造業(yè)來說無疑是非常重大的技術(shù)進展,代表著中國制造在數(shù)十年的努力下終于形成高度完善的產(chǎn)業(yè)鏈,擁有了深厚的技術(shù)積累,厚積薄發(fā),迅速突破,代表著中國制造向中國創(chuàng)造轉(zhuǎn)變再上層樓。
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