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中國將試產(chǎn)7nm工藝，縮短與臺積電差距

2021-03-28 17:12

據(jù)悉中國最大的芯片代工廠中芯國際預(yù)計將在4月份試產(chǎn)7nm工藝,這意味著中芯國際即使缺乏EUV光刻機也嘗試量產(chǎn)7nm工藝,這對于中國芯片制造業(yè)有重要的意義。

中國芯片制造迎難而上，將試產(chǎn)7nm工藝，縮短與臺積電的差距

由于眾所周知的原因,中國芯片制造企業(yè)目前難以獲得EUV光刻機,這對于5nm及更先進工藝來說非常關(guān)鍵,而采用DUV光刻機則雖然也可以量產(chǎn)7nm工藝,但是這已是DUV光刻機的極限。

此前臺積電就是采用DUV光刻機投產(chǎn)了7nm工藝,此后時隔一年時間才采用EUV光刻機投產(chǎn)7nmEUV工藝。據(jù)分析指出,7nmEUV工藝較7nm工藝提升了20%的晶體管密度,同時降低了6%-12%的功耗可以說是巨大的進步。

7nmEUV工藝能取得如此巨大的進步與EUV光刻機的技術(shù)升級分不開,EUV是極紫外線的簡稱,DUV則是深紫外線的簡稱,DUV的波長為193nm,而EUV的波長則為十幾nm,利用波長更短的EUV光刻機可以降低生產(chǎn)成本并且提升芯片的性能。

中國芯片制造迎難而上，將試產(chǎn)7nm工藝，縮短與臺積電的差距

中芯國際采用DUV光刻機開發(fā)出接近7nm工藝的技術(shù)可以說是一個巨大的進步,這意味著中芯國際正迅速縮短與臺積電的技術(shù)差距,同時也將取得對聯(lián)電和格芯的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢,聯(lián)電和格芯已確定放棄7nm及更先進的工藝。

中芯國際如果順利量產(chǎn)7nm工藝可望有助于增強中國芯片產(chǎn)業(yè)鏈的實力,目前中國大陸投產(chǎn)的最先進工藝分別是臺積電南京工廠的16nmFinFET和中芯國際的14nmFinFET,如果中芯國際擁有先進的7nm工藝,中國大陸的本土芯片企業(yè)可以就近流片,節(jié)省流片時間和成本,加快芯片研發(fā)進程。

同時中芯國際研發(fā)出7nm工藝,將有助于它為更先進的工藝積累技術(shù),一旦獲得EUV光刻機就可以迅速展開5nm工藝的研發(fā)。

當(dāng)下全球的芯片制造產(chǎn)能均出現(xiàn)緊張局面導(dǎo)致價格上漲,由于目前僅有臺積電和三星擁有7nm及更先進工藝導(dǎo)致這些工藝的價格上漲幅度更大,如果中芯國際能投產(chǎn)7nm工藝將有助于它獲得更多利潤,去年下半年由于14nmFinFET工藝的拉動它就取得了凈利潤倍增,可見先進工藝的利潤非常豐厚,有了更多的利潤也有助于中芯國際投資研發(fā)更先進工藝,這是一種良性循環(huán)。

中國芯片制造迎難而上，將試產(chǎn)7nm工藝，縮短與臺積電的差距

面臨如此困難情況下,中芯國際依然奮力前行,體現(xiàn)了中國芯片制造企業(yè)的艱苦奮斗決心。芯片制造產(chǎn)業(yè)鏈也在努力向前,上海中星微電子也在努力開發(fā)自主研發(fā)的光刻機,相信在中國各方的努力下,中國芯片制造業(yè)終究有一天能實現(xiàn)完全自主研發(fā)。