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僅次于光刻！我國(guó)突破氫離子注入核心技術(shù) 100％國(guó)產(chǎn)

2024-09-11 17:22

快科技9月11日消息，據(jù)國(guó)家電力投資集團(tuán)官方消息，近日，集團(tuán)所屬國(guó)電投核力創(chuàng)芯（無(wú)錫）科技有限公司核力創(chuàng)芯暨國(guó)家原子能機(jī)構(gòu)核技術(shù)（功率芯片質(zhì)子輻照）研發(fā)中心，完成了首批氫離子注入性能優(yōu)化芯片產(chǎn)品客戶交付。

這標(biāo)志著，我國(guó)已全面掌握功率半導(dǎo)體高能氫離子注入核心技術(shù)和工藝，補(bǔ)全了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中缺失的重要一環(huán)，為半導(dǎo)體離子注入設(shè)備和工藝的全面國(guó)產(chǎn)替代奠定了基礎(chǔ)。

僅次于光刻！我國(guó)突破氫離子注入核心技術(shù) 100％國(guó)產(chǎn)

工程師進(jìn)行晶圓離子注入生產(chǎn)

氫離子注入是半導(dǎo)體晶圓制造中僅次于光刻的重要環(huán)節(jié)，在集成電路、功率半導(dǎo)體、第三代半導(dǎo)體等多種類型半導(dǎo)體產(chǎn)品制造過(guò)程中起著關(guān)鍵作用。

這一領(lǐng)域核心技術(shù)、裝備工藝的缺失，嚴(yán)重制約了我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高端化發(fā)展，特別是600V以上高壓功率芯片長(zhǎng)期依賴進(jìn)口。

核力創(chuàng)芯在遭遇外國(guó)關(guān)鍵技術(shù)、裝備封鎖的不利條件下，在不到3年的時(shí)間里，突破了多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)壁壘，實(shí)現(xiàn)了100%自主技術(shù)、100%裝備國(guó)產(chǎn)化，建成了我國(guó)首個(gè)核技術(shù)應(yīng)用和半導(dǎo)體領(lǐng)域交叉學(xué)科研發(fā)平臺(tái)。

首批交付的芯片產(chǎn)品經(jīng)歷了累計(jì)近1萬(wàn)小時(shí)的工藝、可靠性測(cè)試驗(yàn)證，主要技術(shù)指標(biāo)達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，獲得用戶高度評(píng)價(jià)。

作者：上方文Q，來(lái)源：快科技

原文標(biāo)題 : 僅次于光刻！我國(guó)突破氫離子注入核心技術(shù) 100％國(guó)產(chǎn)