芯片制造無(wú)疑是國(guó)產(chǎn)芯片最受重視的部分，不過(guò)由于種種原因，導(dǎo)致芯片制造跟不上芯片設(shè)計(jì)的步伐，但是這并不意味著芯片制造就陷入停滯，近期國(guó)產(chǎn)芯片代工商之一的長(zhǎng)電科技就表示已實(shí)現(xiàn)4nm手機(jī)芯片封裝，可以提升芯片的性能。

長(zhǎng)電科技表示已具備4nm手機(jī)芯片封裝技術(shù)，可以承接臺(tái)積電等芯片代工廠生產(chǎn)的手機(jī)芯片，將CPU、GPU和射頻芯片的集成封裝，相比起以往的芯片封裝技術(shù)，長(zhǎng)電科技這項(xiàng)封裝技術(shù)有利于提升手機(jī)芯片整體性能，降低功耗，同時(shí)減小體積，對(duì)于手機(jī)這種精密機(jī)器非常重要。

業(yè)界可能都對(duì)臺(tái)積電、三星量產(chǎn)4nm耳熟能詳，先進(jìn)工藝有助于提升芯片的性能、降低功耗，對(duì)于手機(jī)芯片來(lái)說(shuō)由于手機(jī)的體積小，因此更需要采用先進(jìn)工藝來(lái)獲得更佳的性能、功耗表現(xiàn)，而對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)，其實(shí)除了制造之外，還有封測(cè)環(huán)節(jié)也非常重要。

封測(cè)環(huán)節(jié)是將臺(tái)積電、三星等芯片制造企業(yè)生產(chǎn)出來(lái)的合格晶圓進(jìn)行切割、焊線、塑封，這個(gè)過(guò)程同樣需要很高的技術(shù)，確保切割過(guò)程中不會(huì)損壞晶圓，然后將芯片電路與外部器件實(shí)現(xiàn)電器連接，再以恰當(dāng)?shù)陌�裝為它提供保護(hù)，最后對(duì)封裝完畢的芯片進(jìn)行功能和性能測(cè)試，確保出廠的芯片是合格產(chǎn)品。

隨著先進(jìn)工藝越來(lái)越接近瓶頸，加上先進(jìn)工藝的成本越來(lái)越昂貴，芯片設(shè)計(jì)企業(yè)和芯片制造企業(yè)都開(kāi)始尋求在封裝技術(shù)方面進(jìn)行變革，當(dāng)下臺(tái)積電、Intel等組建的chiplet聯(lián)盟就是希望以先進(jìn)封裝技術(shù)將多種類型的芯片封裝在一起，增強(qiáng)多種芯片的數(shù)據(jù)傳輸效率，進(jìn)而提高性能，降低芯片制造成本，長(zhǎng)電科技恰是全球前三大封測(cè)企業(yè)之一，它在先進(jìn)封裝技術(shù)方面達(dá)到全球領(lǐng)先水平，自然也有助于增強(qiáng)中國(guó)芯片整體實(shí)力。

先進(jìn)封裝技術(shù)如今已成為全球芯片行業(yè)所追求的一項(xiàng)重要技術(shù)，臺(tái)積電、Intel等建立的chiplet聯(lián)盟推進(jìn)它們的封裝技術(shù)，中國(guó)大陸的華為海思也已獲得了芯片堆疊技術(shù)專利，如今長(zhǎng)電科技在先進(jìn)封裝技術(shù)方面追上全球先進(jìn)水平，都可以看出封裝技術(shù)已成為各方爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。

業(yè)界人士就推測(cè)華為可能會(huì)在手機(jī)芯片上采用芯片堆疊技術(shù)提升芯片性能，這主要是因?yàn)楫?dāng)下全國(guó)產(chǎn)芯片工藝遠(yuǎn)落后于臺(tái)積電，而芯片堆疊技術(shù)可以有效提升芯片性能，如此以成熟工藝生產(chǎn)的海思芯片加芯片堆疊技術(shù)可以滿足消費(fèi)者對(duì)性能的需求。

當(dāng)然對(duì)于芯片來(lái)說(shuō)，最終還是需要在芯片制造工藝方面的突破，此前業(yè)界人士就指出國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)鏈除了封裝技術(shù)上取得進(jìn)展之外，在芯片制造八大環(huán)節(jié)也只剩下光刻機(jī)一項(xiàng)受阻，其他芯片制造環(huán)節(jié)都突進(jìn)到14nm，其中刻蝕機(jī)更是進(jìn)展到5nm，這就意味著國(guó)產(chǎn)芯片已至少有兩個(gè)環(huán)節(jié)進(jìn)展到5nm以上。

至于光刻機(jī)，據(jù)稱中國(guó)將會(huì)兩條腿走路，一方面是繼續(xù)努力攻克光刻機(jī)的關(guān)鍵元件，力求實(shí)現(xiàn)先進(jìn)光刻機(jī)國(guó)產(chǎn)化，另一方面則是尋求研發(fā)無(wú)需光刻機(jī)的芯片制造技術(shù)，這方面有日本的NIL工藝提供參考，日本的NIL工藝已被鎧俠用于NAND flash存儲(chǔ)芯片生產(chǎn)，據(jù)稱到2025年將可以用于5nm工藝的生產(chǎn)，而國(guó)產(chǎn)芯片制造據(jù)稱也在往這個(gè)方向努力。

總的來(lái)說(shuō)，無(wú)論從哪方面來(lái)看，中國(guó)在芯片各個(gè)環(huán)節(jié)都在努力推進(jìn)，能取得的任何進(jìn)步都是值得驚喜的，畢竟飯要一口一口吃，當(dāng)其他環(huán)節(jié)都已為先進(jìn)工藝準(zhǔn)備好，那么當(dāng)光刻機(jī)問(wèn)題得到解決的時(shí)候，國(guó)產(chǎn)先進(jìn)工藝就能立刻上馬，有足夠的準(zhǔn)備才能更快收獲碩果。

       原文標(biāo)題 : 擋不住了，國(guó)產(chǎn)芯片再度突進(jìn)，部分環(huán)節(jié)已進(jìn)到4nm