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5月19日晚，美國參議院民主黨領(lǐng)袖舒默公布了經(jīng)修改的兩黨立法，批準撥款520億美元，在今后5年里大力促進美國半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)和研究。據(jù)路透社報道，該法案包括390億美元的生產(chǎn)和研發(fā)激勵，105億美元的實施計劃，以及國家半導(dǎo)體技術(shù)中心、國家先進封裝制造計劃和其他研發(fā)計劃。

5月19日晚，美國參議院民主黨領(lǐng)袖舒默公布了經(jīng)修改的兩黨立法，批準撥款520億美元，在今后5年里大力促進美國半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)和研究。

據(jù)路透社報道，該法案包括390億美元的生產(chǎn)和研發(fā)激勵，105億美元的實施計劃，以及國家半導(dǎo)體技術(shù)中心、國家先進封裝制造計劃和其他研發(fā)計劃。此外，法案還包括15億美元的應(yīng)急資金，以幫助西方國家發(fā)展替代中國電信設(shè)備供應(yīng)商華為和中興通訊的設(shè)備，旨在加快美國運營商支持的開放式架構(gòu)模式（OpenRAN）的開發(fā)。

在提交經(jīng)修改的法案后，舒默發(fā)表聲明稱：“這項法案將使美國在半導(dǎo)體等關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域超越中國等國，為美國創(chuàng)造高薪就業(yè)機會，并幫助改善我國的經(jīng)濟和國家安全�！痹摲ò高�將設(shè)立一個項目，為在美國建造、擴建現(xiàn)代化半導(dǎo)體制造工廠提供財政援助。

毫無疑問，美國在半導(dǎo)體領(lǐng)域下定決心，準備全力以赴。不僅如此，就在5月12日，微軟、蘋果、AMD、英特爾、ARM、三星、臺積電等公司還共同組成了名為SIAC美國半導(dǎo)體聯(lián)盟——這是美國企業(yè)牽頭組織的又一個高科技企業(yè)聯(lián)盟。以史為鑒，該舉措讓人不由想起1986年成立的美國半導(dǎo)體制造技術(shù)聯(lián)盟Sematech，該聯(lián)盟在與日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭并最終勝出且壟斷全球數(shù)十年中發(fā)揮了非常關(guān)鍵的作用。

美日半導(dǎo)體競爭風(fēng)云往事

眾所周知，美國是半導(dǎo)體技術(shù)的故鄉(xiāng)。早在1959年，仙童公司的Robert Noyce就成功發(fā)明了單片集成電路技術(shù)，以半導(dǎo)體硅基材料和集成電路技術(shù)為基礎(chǔ)的芯片就此誕生。此后，美國的產(chǎn)業(yè)也開始進入了以電子、航空航天、核能為代表的第三次工業(yè)革命時代。

在美國芯片業(yè)快速發(fā)展的初期階段，SONY的創(chuàng)始人盛田昭夫于50年代出差美國，并為公司引入晶體管技術(shù)。當時，晶體管技術(shù)主要被SONY用來制造收音機，并很快成為爆款。受此影響，其他日本公司也紛紛引入晶體管，開始一窩蜂地制造收音機。

但是，由于日本消費能力有限，大量生產(chǎn)過剩的收音機就被用于出口。1959年，日本僅向美國出口400萬臺收音機，6年之后這一數(shù)字就達到了2400萬臺。然而，美國認為這些產(chǎn)品相對低端，對其無法構(gòu)成實質(zhì)性威脅。

轉(zhuǎn)眼，時間來到1970年，IBM 宣布將在新推出的大型機中使用半導(dǎo)體存儲器替代磁芯，這使得在半導(dǎo)體存儲器中占據(jù)重要位置的DRAM內(nèi)存芯片逐漸發(fā)展成為一個規(guī)模巨大的市場。就在美國推出DRAM芯片不久，日本NEC也推出了自己的DRAM 芯片，不過技術(shù)稍遜。就在實力增長的同時，日本芯片產(chǎn)業(yè)危險已至。1972年，美國借口計算器傾銷，拒絕給日本提供核心IC集成電路，之后日企在全球的市場份額急劇下跌。

面對這一變故，日本選擇采用國家隊的模式，成立了”DRAM制法革新”國家項目，即由政府牽頭，聯(lián)合日立、NEC、富士通、三菱、東芝等重要企業(yè)，共同籌資737億日元設(shè)立研究所，其中主管部門通產(chǎn)省補助291億日元，占39．5％。在此基礎(chǔ)上，1985年，日本取代美國，成為世界上最大的芯片生產(chǎn)國。

這下，美國終于坐不住了。早在1977年3月，美國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會（SIA）就得出結(jié)論：日本電子產(chǎn)業(yè)的成功，是在美國傾銷的結(jié)果。而為了保持美國電子產(chǎn)業(yè)的競爭力，美國政府必須介入這次爭端。1982年3月，美國商務(wù)部表示，將調(diào)查日本的芯片商對美國的廉價傾銷。

到了1985年，SIA認為，如果政府還不迅速采取嚴厲措施，整個行業(yè)將在與日本的競爭中逐漸消亡。當年6月，SIA向美國貿(mào)易代表辦公室就日本電子產(chǎn)品的傾銷提起了訴訟，這就是著名的301條款。直到1986年9月，兩國簽署了《半導(dǎo)體協(xié)定》，大勢既定。

除了政治上的較勁外，在這一場“戰(zhàn)爭”中，美國產(chǎn)業(yè)界也苦練內(nèi)功。1986年，就在美日《半導(dǎo)體協(xié)定》簽訂的同一年，由聯(lián)邦政府和大多數(shù)美國大型芯片公司共同出資成立了美國半導(dǎo)體制造技術(shù)戰(zhàn)略聯(lián)盟——Sematech。該聯(lián)盟由IBM、英特爾、摩托羅拉、德州儀器、惠普和國家半導(dǎo)體公司等當時所有在美國半導(dǎo)體制造業(yè)中居領(lǐng)先地位的企業(yè)組成，計劃每年投入2億美元，專注于包括光刻、熔爐和注入、等離子體蝕刻和沉積在內(nèi)的關(guān)鍵加工技術(shù)的制造設(shè)備和工藝。

最初，Sematech主要研發(fā)半導(dǎo)體制造技術(shù)，即如何改進制造流程和更好使用制造設(shè)備，相當于臺積電和中芯國際所做的業(yè)務(wù)。但是，Sematech通過密集的行業(yè)調(diào)研和實踐發(fā)現(xiàn)，半導(dǎo)體制造技術(shù)的提高很大程度上有賴于制造設(shè)備的改進，而當時在研發(fā)新一代光刻機的過程中又遇到了意想不到的困難，這促使Sematech開始重視制造設(shè)備相關(guān)技術(shù) 。到1989年至1990年左右，Sematech開始將研發(fā)重心轉(zhuǎn)向半導(dǎo)體制造設(shè)備 。

Sematech為制造設(shè)備開發(fā)設(shè)立了“聯(lián)合開發(fā)項目”和“設(shè)備改進項目”。

“聯(lián)合開發(fā)項目”由Sematech成員與制造設(shè)備企業(yè)合作，開發(fā)未來半導(dǎo)體制造所需的設(shè)備、 材料、制造流程，如晶圓清洗、缺陷檢測、光學(xué)步進器、化學(xué)氣相沉積等技術(shù)。

“設(shè)備改進項目”主要改進現(xiàn)有半導(dǎo)體制造設(shè)備的性能和可靠性，以適應(yīng)當前和未來技術(shù)發(fā)展，降低制造流程成本、設(shè)備制造難度和設(shè)備維修費用。

Sematech總體上非常成功，到了1995年左右，美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已全面恢復(fù)在國際上的競爭力。特別是在半導(dǎo)體制造設(shè)備領(lǐng)域，美國的控制性地位至今無人能撼動。這是在Sematech領(lǐng)導(dǎo)下美國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)上下游協(xié)同創(chuàng)新的重要成果。