隨著顯示技術的日新月異，Micro-LED技術憑借其出類拔萃的高分辨率、高亮度和低功耗特性，正逐漸嶄露頭角，成為未來顯示領域中的一顆耀眼新星。然而，在Micro-LED技術朝著大規(guī)模產業(yè)化邁進的征途中，依舊面臨著諸多挑戰(zhàn)與障礙，其中，巨量轉移技術更是其前進道路上的重要瓶頸之一，亟待突破。

為了深入了解Micro-LED巨量轉移技術的現(xiàn)狀與未來發(fā)展方向，我們采訪了成都辰顯光電有限公司Micro-LED巨量轉移技術專家董小彪博士。通過與他的交流，我們不僅了解了這項技術的關鍵環(huán)節(jié)和難點，也對未來的發(fā)展趨勢有了更清晰的認識。

巨量轉移技術：

Micro-LED量產的“攔路虎”

巨量轉移技術是一種專門用于Micro-LED顯示技術中的關鍵步驟，旨在將大量微小的LED芯片從生長基板高效、精確地轉移到目標驅動基板上，以構建高密度、高質量的顯示陣列。這一過程涉及到數十萬乃至上千萬顆LED芯片的轉移，由于Micro-LED的尺寸遠小于常規(guī)LED，因此其轉移過程具有極高的挑戰(zhàn)性，尤其是在數量、速度、精度、良率、穩(wěn)定性和成本方面。因此，巨量轉移技術成為了Micro-LED技術實現(xiàn)大規(guī)模產業(yè)化的關鍵所在。

董小彪博士解釋道：“Micro-LED顯示屏幕包括可以發(fā)光的LED芯片以及控制LED發(fā)光的背板，Micro-LED器件是在藍寶石或砷化鎵等襯底上通過外延生長和微納加工技術制備，并由巨量轉移工藝集成到驅動背板�！� 由于一個顯示屏通常需要轉移數十萬乃至上千萬顆LED芯片，對巨量轉移的精度、效率、穩(wěn)定性等要求極高，因此成為實現(xiàn)大規(guī)模產業(yè)化的關鍵之一。

技術突破：

挑戰(zhàn)與機遇并存

目前，業(yè)內主流開發(fā)的技術包括大尺寸印章轉移和激光類轉移，以提升轉移效率。而巨量轉移的技術難點主要包括高效率轉移、高可靠性鍵合、快速檢測和修復。

轉移效率

是指單位時間Micro-LED器件與背板集成的效率，直接影響制造屏體的設備投入和成本。

高可靠性鍵合

是指Micro-LED器件與背板結合的強度需要滿足產品的需求，避免產品使用過程中的新增壞點問題。通常，通過LED器件上的電極與背板上對應電極形成互溶，并通過獨立封裝來提升鍵合強度。

高效率檢測和修復

是指快速、準確地定位到屏體上壞點位置，然后通過對壞點進行替換，實現(xiàn)屏體的100%點亮。

以辰顯公司為例，其轉移速度已達到1000萬顆/小時，并在不斷尋求技術突破，以應對日益增長的市場需求。辰顯光電通過與國內領先的設備和材料廠商合作，成功實現(xiàn)了多款核心設備和材料的國產化導入。這不僅降低了生產成本，也提高了技術的自主可控性。未來，辰顯將繼續(xù)在巨量轉移技術上進行深入研發(fā)，推動Micro-LED技術的進一步發(fā)展。

技術挑戰(zhàn)與轉移良率

為了降低成本，Micro-LED芯片的尺寸會越來越小，轉移過程中的對位精度要求也會越來越高，未來需要做到±0.5μm以內。這需要Micro-LED能夠準確被臨時基板承接，轉移基板的加工精度和平整度必須達到一定參數才能實現(xiàn)高良率轉移。通過控制工藝參數提升基板的加工精度，從而實現(xiàn)高良率轉移。

辰顯光電從99.99%的轉移良率提高到99.995%僅用了3個月時間。通過提升各單元工藝的工程能力、轉移基板制備過程中的點缺陷檢出和修復能力，最終實現(xiàn)了穩(wěn)定的高良率轉移。

在這一過程中，辰顯團隊展現(xiàn)了卓越的執(zhí)行力和團隊合作精神，充分展現(xiàn)辰顯人使命必達的企業(yè)文化。董小彪博士回憶道：“2021年設備剛搬入進行調試時，公司有一個關鍵的目標節(jié)點。當時由于設備搬入和調試時間比預期晚了近一個月，節(jié)點前一天的點亮效果仍未達標。當時負責人笑著對有些疲憊的伙伴說：’路雖崎嶇，志猶堅矣。百折不撓，誓不輟行。我們絕不能在最終關頭放棄。’于是他們帶著關鍵技術人員進入產線繼續(xù)奮戰(zhàn)。機會總是留給有準備的人，當晚7點經過連續(xù)2個月的不間斷努力，終于在節(jié)點前5個小時順利完成了任務�！�

技術趨勢：

追求效率與成本的雙重優(yōu)化

隨著Micro-LED技術的不斷發(fā)展，巨量轉移技術也在不斷進步。未來，兼顧轉移效率和精度的技術將成為研發(fā)的重點。同時，高效率的混bin技術也將成為提升顯示畫質的重要方向。

巨量轉移技術的發(fā)展對Micro-LED顯示技術的商業(yè)化進程具有深遠影響。通過提高轉移效率和良率，降低生產成本，Micro-LED技術將更具市場競爭力。此外，巨量轉移技術還將在顯示的互動方面發(fā)揮重要作用，為未來的顯示技術帶來更多可能性。

董博士還指出，從降低成本的角度看，未來Micro-LED顯示使用的LED尺寸會越來越小，單次轉移的屏體面積會越來越大，因此兼顧轉移效率和精度的技術會成為未來開發(fā)的重點，如印章轉移和激光轉移相結合的工藝路線。從提升顯示畫質的角度，高效率的混bin技術將成為未來開發(fā)的方向之一。

展望未來：

Micro-LED顯示技術的無限可能

Micro-LED技術憑借其獨特的優(yōu)勢，將在未來的顯示領域發(fā)揮重要作用。隨著巨量轉移技術的不斷進步和成本的降低，Micro-LED顯示技術將逐漸走向成熟和普及。我們有理由相信，在不久的將來，Micro-LED將為我們帶來更加豐富多彩的視覺體驗。

Micro-LED顯示被市場接受主要體現(xiàn)在差異化應用、功能性優(yōu)勢和成本競爭力上。巨量轉移技術的開發(fā)進度直接影響Micro-LED顯示屏體的制造成本和顯示質量。未來，巨量轉移不僅可以集成Micro-LED發(fā)光器件，還可以在顯示的互動方面發(fā)揮重要作用。未來降本的方向主要包括關鍵物料、轉移效率和轉移良率三個維度。

董小彪博士的深厚經驗和見解，為我們深入理解巨量轉移技術及其未來發(fā)展提供了寶貴的洞見。相信在科技創(chuàng)新的驅動下，Micro-LED巨量轉移技術必將迎來更多突破，為顯示技術的發(fā)展開辟更加廣闊的空間。